ZVP2110A
TYPICAL CHARACTERISTICS
250
250
200
V DS= -10V
200
150
100
50
0
150
100
50
0
V DS= -10V
0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1.0
-1.2
-1.4
-1.6
0
-2
-4
-6
-8
-10
I D - Drain Current (Amps )
Transconductance v drain current
V GS -Gate Source Voltage (Volts)
Transconductance v gate-source voltage
0
80
60
40
20
C iss
C oss
-2
-4
-6
-8
-10
-12
-14
V DS =
-25V -50V -100V
I D=- 0.5A
0
C rss
-16
0
-20
-40
-60
-80
-100
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V DS -Drain Source Voltage (Volts)
Capacitance v drain-source voltage
3-423
Q-Gate Charge (nC)
Gate charge v gate-source voltage
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ZVP2110GTC 功能描述:MOSFET P-Chnl 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube